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つばさ真空理研

独自の真空蒸着技術で高融点金属酸化膜を緻密な厚膜に成膜し、半導体製造装置などの耐食性保護膜を開発・受託成膜する。

半導体・GPUイオンアシスト蒸着高融点金属酸化膜耐食性保護膜神奈川県横浜市港北区|設立 2019年
主なメンバー1名
  • 石川道夫代表取締役社長
最終確認 2026-09-28(10日前)掲載情報は編集部作成
  • 特許(国内)3件特許庁データ 2026-10-01 時点

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知財

公的DB
3特許0意匠0商標国内・法人名義。特許庁データ 2026-10-01 時点

最終確認 2026-09-28。掲載情報は編集部が公開情報から作成し、出所を項目ごとに示しています。

掲載基準・出典・免責

出典: tsubasa-sci.co.jp

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