低消費電力の組込み型フラッシュメモリIPコアとAI向けチップを開発する半導体設計企業。
主なメンバー4名
- 奥山 幸祐代表取締役社長CEO
- 谷口 泰弘取締役
- Elly Chang取締役
- 米田 秀樹CMO
最終確認 2026-08-13（62日前）掲載情報は編集部作成
- 累計調達額46.5億円
- 直近の調達から36か月4回の調達
- 特許（国内）129件特許庁データ 2026-10-01 時点
基礎論文・研究成果
3本- 2026年Enhancing SONOS-Type Flash Memory for Nonvolatile Analog Computing-in-Memory via Precise Multi-Level Weight Control and Improved Retention2026 IEEE International Memory Workshop (IMW) ・ DOI 10.1109/imw68301.2026.11532835NEC・九州工業大学との共同開発成果として同社が発表。
- 2023年SONOS Embedded Flash IP Using Trap-Depth-Controlled SiN Film Enabling Data Retention more than 10 years at 200°C2023 IEEE International Memory Workshop (IMW) ・ DOI 10.1109/imw56887.2023.10145990著者は同社所在地（小平市小川東町）所属。推定
- 2020年A Cost-Effective Embedded Nonvolatile Memory with Scalable LEE Flash®-G2 SONOS for Secure IoT and Computing-in-Memory (CiM) Applications2020 International Symposium on VLSI Design, Automation and Test (VLSI-DAT) ・ DOI 10.1109/vlsi-dat49148.2020.9196270同社製品LEE Flash G2を扱う論文。推定
製品と到達段階
5件LEE Flash G1
SONOS構造の組込みフラッシュメモリIP。東芝のマイコンなどに搭載され量産されている。
LEE Flash ZT
追加マスク不要のMTP型不揮発性メモリIP。車載向けのトリミングやパラメータ保存に使う。
LEE Fuse ZA
追加マスク・追加工程不要のアンチヒューズ型OTPメモリIP。トリミングや冗長救済向け。
LEE Flash G2
G1のメモリセル横にスイッチトランジスタを置いたフラッシュIP。ロジック回路と直接接続できる。
CiM（Computing in Memory）チップ
フラッシュメモリのセルで積和演算をアナログ処理するAI推論向けチップ。テストチップを試作。
コメント
- 出身研究室Coming Soon
- 投資家Coming Soon
- DEEPPOINT編集部Coming Soon
資金調達
4件| 発表日 | ラウンド | 調達額 | 引受先 | 出典 |
|---|---|---|---|---|
| 2023/10/11 | シリーズD以降 | ¥10.5億 シリーズDファーストクロージング8.5億円＋ベンチャーデット2億円。 | 稲畑産業、Cypress Capital、日本政策金融公庫 | |
| 2020/10/26 | シリーズC | ¥12億 シリーズC総額約12億円（増資10.4億円＋融資1.8億円）。 | 帝人、TEL Venture Capital、みやこキャピタル、丸紅ベンチャーズ、NECキャピタルソリューション、IDATEN Ventures、日本政策金融公庫 | |
| 2017/07/05 | シリーズB | ¥16億 シリーズB総額16億円。産業革新機構が2億円を上限に追加投資、Fortune Venture Capital・Chih-Hung Investmentが新たに出資し、既存株主も参加。 | 産業革新機構、Fortune Venture Capital、Chih-Hung Investment | |
| 2015/06/17 | 区分非公開 | ¥8億 産業革新機構が6億円、三菱UFJキャピタル・大和企業投資が2億円をそれぞれ上限とする出資を決定、計8億円（上限額。リリースにラウンド名の記載なし）。 | 産業革新機構、三菱UFJキャピタル、大和企業投資 |
社史
14件2026
- 2026年6月18日認証TSMC 180BCD Gen3で車載向けG1をリリース。AEC-Q100 Grade 1のフル認定を取得TSMC
- 2026年5月12日共同開発日本電気（NEC）、九州工業大学不揮発性アナログCiM向けに、AIモデルパラメータの高精度書き分け・長時間保持技術を共同開発した。
2025
- 2025年6月10日認証台湾事務所で品質マネジメントシステムISO9001:2015の認証を取得
2023
- 2023年3月1日認証TSMCの130BCD PlusプロセスでG1の品質認定を完了TSMC
2022
- 2022年6月販売・供給東芝デバイス＆ストレージ、ジャパンセミコンダクター両社がG1を搭載した汎用車載機器用プラットフォームを開発し、ISPSD 2022で発表した。
2021
- 2021年11月15日出来事HHGraceの180BCDプラットフォームでLEE Flash ZTが利用可能にShanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing（HHGrace）
2020
- 2020年8月販売G1を搭載した東芝デバイス＆ストレージのマイコンが出荷開始東芝デバイス＆ストレージ
2019
- 2019年9月7日受賞第7回ディープテックグランプリでオムロン賞グランプリとトヨタシステムズ賞グランプリを受賞
2018
- 2018年9月25日上市・量産G1を採用したSoC3製品の12インチウェハ（90nm）生産が累計3万枚を超えたPowerchip Technology Corporation
2017
- 2017年沿革ファウンドリとの協業のため台湾支店を設立。
2014
- 2014年上市・量産PSMCでLEE Flash G1搭載のスマートフォン向けICの量産を開始PSMC（Powerchip）
2013
- 2013年上市・量産日本のIDMで車載グレードのLEE Flash ZTの量産を開始
2011
- 2011年4月創業ルネサスエレクトロニクスでフラッシュメモリ開発に携わった7人のエンジニアが設立。
時期不明
- 共同開発九州工業大学同社のCiM技術を用いたニューラルネットワーク（レザバーネット）を森江隆特任教授らの研究チームと共同開発。
知財
公的DB129特許0意匠14商標国内・法人名義。特許庁データ 2026-10-01 時点
- 特許第6789576号積和演算装置gBizINFOで照合
- 特許第5756971号アンチヒューズメモリおよび半導体記憶装置gBizINFOで照合
- 特許第6306466号不揮発性SRAMメモリセル、および不揮発性半導体記憶装置gBizINFOで照合
特許129件（出願2013〜2022年）。主な領域は基本的電気素子（H01）と情報記憶（G11）で、積和演算装置の特許もある。
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