- 累計調達額36億円非公開3件を除く
- 直近の調達から56か月8回の調達
- 特許(国内)1307件特許庁データ 2026-10-01 時点
製品と到達段階
5件GaO® ダイオード(SBD)
コランダム構造酸化ガリウムを用いたSBD。サンプル出荷中。600V・10Aクラスを量産に向け開発。
GaO® MOSFET(開発中)
p層を用いたノーマリーオフMOSFET。ドレイン電流14.3A(ゲート電圧15V時)を実証。
次世代SBD(JBS構造)
p型半導体α-(IrGa)2O3を用いたJBS構造ダイオード。600V・10A品を試作、立ち上がり電圧0.9V。
成膜ソリューション(ミストドライ®)
非真空のミストドライ®法による受託成膜・共同開発。1枚からのテスト成膜に対応。
成膜標準サンプル
ミストドライ®で成膜した酸化物・金属薄膜の標準サンプルを販売。
コメント
- 出身研究室Coming Soon
- 投資家Coming Soon
- DEEPPOINT編集部Coming Soon
資金調達
8件| 発表日 | ラウンド | 調達額 | 引受先 | 出典 |
|---|---|---|---|---|
| 2022/01/27 | 区分非公開 | 非公開 三洋化成工業が資本参画。金額は非公表。 | 三洋化成工業 | |
| 2021/11/30 | 区分非公開 | 非公開 しがぎん地方創生SDファンド投資事業有限責任組合(滋賀銀行・クオンタムリープ・キャピタル・パートナーズ・しがぎんリース・キャピタルが設立)が資本参画。金額は非公表。 | しがぎん地方創生SDファンド | |
| 2021/10/15 | 区分非公開 | 非公開 ダイキン工業が資本参画。金額は非公表。 | ダイキン工業 | |
| 2021/03/26 | シリーズD以降 | ¥10億 リリース表記「総額約10億円のシリーズEラウンド」。累計約42億円。2020-08に三菱重工業・京都大学イノベーションキャピタルが無限責任組合員のイノベーション京都2016投資事業有限責任組合を引受先とする5億円の増資を実施しており、累計額の推移(2019-07時点約32.1億円)からこのラウンドに含まれると読めるが、リリースに明記はない。 | 三菱重工業、京都大学イノベーションキャピタル、JSR Active Innovation Fund、日本政策投資銀行 | |
| 2019/07/26 | シリーズD以降 | ¥9.5億 リリース表記「総額約9.5億円のシリーズDラウンド」。2019-03(4.5億円)・2019-05(約2億円)・2019-07の3回に分けて実施。累計約32.1億円。フェニックス投資事業有限責任組合はフジミインコーポレーテッドとフューチャーベンチャーキャピタル(現ミライドア)の共同ファンド。 | JSR、MHIイノベーション推進研究所、フジミインコーポレーテッド、ミライドア、三井金属-SBIマテリアル・イノベーション・ファンド、Eight Roads Ventures Japan、京銀リース・キャピタル | |
| 2018/01/04 | シリーズC | ¥8億 リリース表記「総額約8億円のシリーズCラウンド」。2017-10に先行発表の三菱重工業(金額非開示)分を含む。累計約22.6億円。 | 三菱重工業、デンソー、三井金属-SBIマテリアル・イノベーション・ファンド、スパークス・アセット・マネジメント、Eight Roads Ventures Japan | |
| 2017/04/06 | シリーズB | ¥1億 リリース表記「約1億円」。2017-03 の7.5億円への追加で、合わせて総額8.5億円のシリーズBラウンド(英文リリース表記) | Eight Roads Ventures Japan | |
| 2017/03/02 | シリーズB | ¥7.5億 和文リリースは「第三者割当増資」とのみ書くが、英文リリースは「Series B Round」と表記。2017-04の追加を含め総額8.5億円のラウンド | みやこキャピタル、環境エネルギー投資、東京大学エッジキャピタルパートナーズ、ニッセイ・キャピタル、安川電機、京都大学イノベーションキャピタル、フューチャーベンチャーキャピタル |
社史
19件2026
- 2026年9月16日代表交代天田健嗣が代表取締役社長に就任。
- 2026年7月受賞2026 WIPO Global Awards 環境部門Winnerに選出(126か国・1,300件超から11社)WIPO
2025
- 2025年12月上市・量産4インチウェハ製造技術の実証完了と製品信頼性課題の克服を発表
- 2025年7月出来事p層を用いたMOSFETで世界初のノーマリーオフ10A超の大電流動作を実証
- 2025年3月31日代表交代四戸孝が代表取締役社長、中澤達洋が代表取締役副社長に就任。創業者の人羅俊実は取締役会長へ。
2024
- 2024年12月出来事SBDの2024年中の量産開始計画を見直すと発表(信頼性評価に時間が必要)
2023
- 2023年12月共同開発三洋化成工業2022年から共同開発。基板埋込モジュールに入れるマイクロ温度ヒューズを開発し、Fail Operationを実現。
- 2023年3月共同開発JSRp型半導体の酸化イリジウムガリウム向けに、量産課題を解消する新しいイリジウム系成膜材料を共同開発。
- 2023年採択NEDOディープテック・スタートアップ支援事業(DTSU)DMP
2020
- 2020年12月受賞NEDO主催表彰で省エネルギー技術開発賞・理事長賞(最優良事業者賞)を受賞NEDO
- 2020年6月受賞GaO®トランジスタ(MOSFET)が半導体・オブ・ザ・イヤー2020グランプリ
2019
- 2019年3月移転本店所在地を京都市西京区御陵大原1番29号に変更(それ以前は京大桂ベンチャープラザ)。
- 2019年2月受賞Japan Venture Awards 2019で経済産業大臣賞を受賞
2018
- 2018年採択J-Startup
2017
- 2017年8月受賞大学発ベンチャー表彰2017でNEDO理事長賞を受賞JST・NEDO
- 2017年3月受賞JEITA「第2回ベンチャー賞」を受賞JEITA
2014
- 2014年7月商号変更商号をROCA株式会社から株式会社FLOSFIAに変更。
2012
- 2012年6月代表交代代表取締役に人羅俊実が就任し、事業ドメインを半導体領域に変更。
2011
- 2011年3月創業ROCA株式会社として会社設立(設立日は2011年3月31日)。
知財
公的DBgBizINFO(法人番号5130001046925)上の特許は1,307件(出願日2013〜2022年分)、意匠1件、商標20件。出願人は株式会社FLOSFIA。
出展・登壇するイベント
2件- 2026 10/5(月)〜7(水)Global Startup EXPO 2026出展
- 前回IVS 2026出展
登壇は登壇者の所属で、その会社の出展とは限りません。
近い企業
同じ分野
同じ出身
