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半導体・GPU 5位(累計調達額・公開分、41社中)京都大学発J-StartupNEDO DTSU採択シリーズD以降

コランダム構造酸化ガリウムのパワー半導体を開発する京都大学発ベンチャー。

半導体・GPU酸化ガリウム半導体コランダム構造α-Ga2O3パワー半導体京都府京都市|設立 2011年
主なメンバー4名
  • 天田 健嗣代表取締役社長2026年9月16日〜
  • 人羅 俊実創業者 取締役会長2025年3月31日〜
  • 中澤 達洋代表取締役副社長2025年3月31日〜
  • 四戸 孝取締役(前代表取締役社長)
技術の出身京都大学2011年 創業
最終確認 2026-08-13(62日前)掲載情報は編集部作成
  • 累計調達額36億円非公開3件を除く
  • 直近の調達から56か月8回の調達
  • 特許(国内)1307件特許庁データ 2026-10-01 時点

製品と到達段階

5件

コメント

  • 出身研究室Coming Soon
  • 投資家Coming Soon
  • DEEPPOINT編集部Coming Soon

資金調達

8件
発表日ラウンド調達額引受先出典
2022/01/27区分非公開非公開

三洋化成工業が資本参画。金額は非公表。

三洋化成工業
2021/11/30区分非公開非公開

しがぎん地方創生SDファンド投資事業有限責任組合(滋賀銀行・クオンタムリープ・キャピタル・パートナーズ・しがぎんリース・キャピタルが設立)が資本参画。金額は非公表。

しがぎん地方創生SDファンド
2021/10/15区分非公開非公開

ダイキン工業が資本参画。金額は非公表。

ダイキン工業
2021/03/26シリーズD以降¥10億

リリース表記「総額約10億円のシリーズEラウンド」。累計約42億円。2020-08に三菱重工業・京都大学イノベーションキャピタルが無限責任組合員のイノベーション京都2016投資事業有限責任組合を引受先とする5億円の増資を実施しており、累計額の推移(2019-07時点約32.1億円)からこのラウンドに含まれると読めるが、リリースに明記はない。

三菱重工業、京都大学イノベーションキャピタル、JSR Active Innovation Fund、日本政策投資銀行
2019/07/26シリーズD以降¥9.5億

リリース表記「総額約9.5億円のシリーズDラウンド」。2019-03(4.5億円)・2019-05(約2億円)・2019-07の3回に分けて実施。累計約32.1億円。フェニックス投資事業有限責任組合はフジミインコーポレーテッドとフューチャーベンチャーキャピタル(現ミライドア)の共同ファンド。

JSR、MHIイノベーション推進研究所、フジミインコーポレーテッド、ミライドア、三井金属-SBIマテリアル・イノベーション・ファンド、Eight Roads Ventures Japan、京銀リース・キャピタル
2018/01/04シリーズC¥8億

リリース表記「総額約8億円のシリーズCラウンド」。2017-10に先行発表の三菱重工業(金額非開示)分を含む。累計約22.6億円。

三菱重工業、デンソー、三井金属-SBIマテリアル・イノベーション・ファンド、スパークス・アセット・マネジメント、Eight Roads Ventures Japan
2017/04/06シリーズB¥1億

リリース表記「約1億円」。2017-03 の7.5億円への追加で、合わせて総額8.5億円のシリーズBラウンド(英文リリース表記)

Eight Roads Ventures Japan
2017/03/02シリーズB¥7.5億

和文リリースは「第三者割当増資」とのみ書くが、英文リリースは「Series B Round」と表記。2017-04の追加を含め総額8.5億円のラウンド

みやこキャピタル、環境エネルギー投資、東京大学エッジキャピタルパートナーズ、ニッセイ・キャピタル、安川電機、京都大学イノベーションキャピタル、フューチャーベンチャーキャピタル

社史

19件

2026

  • 2026年9月16日代表交代天田健嗣が代表取締役社長に就任。
  • 2026年7月受賞2026 WIPO Global Awards 環境部門Winnerに選出(126か国・1,300件超から11社)WIPO

2025

  • 2025年12月上市・量産4インチウェハ製造技術の実証完了と製品信頼性課題の克服を発表
  • 2025年7月出来事p層を用いたMOSFETで世界初のノーマリーオフ10A超の大電流動作を実証
  • 2025年3月31日代表交代四戸孝が代表取締役社長、中澤達洋が代表取締役副社長に就任。創業者の人羅俊実は取締役会長へ。

2024

  • 2024年12月出来事SBDの2024年中の量産開始計画を見直すと発表(信頼性評価に時間が必要)

2023

  • 2023年12月共同開発三洋化成工業2022年から共同開発。基板埋込モジュールに入れるマイクロ温度ヒューズを開発し、Fail Operationを実現。
  • 2023年3月共同開発JSRp型半導体の酸化イリジウムガリウム向けに、量産課題を解消する新しいイリジウム系成膜材料を共同開発。
  • 2023年採択NEDOディープテック・スタートアップ支援事業(DTSU)DMP

2020

  • 2020年12月受賞NEDO主催表彰で省エネルギー技術開発賞・理事長賞(最優良事業者賞)を受賞NEDO
  • 2020年6月受賞GaO®トランジスタ(MOSFET)が半導体・オブ・ザ・イヤー2020グランプリ

2019

  • 2019年3月移転本店所在地を京都市西京区御陵大原1番29号に変更(それ以前は京大桂ベンチャープラザ)。
  • 2019年2月受賞Japan Venture Awards 2019で経済産業大臣賞を受賞

2018

  • 2018年採択J-Startup

2017

  • 2017年8月受賞大学発ベンチャー表彰2017でNEDO理事長賞を受賞JST・NEDO
  • 2017年3月受賞JEITA「第2回ベンチャー賞」を受賞JEITA

2014

  • 2014年7月商号変更商号をROCA株式会社から株式会社FLOSFIAに変更。

2012

  • 2012年6月代表交代代表取締役に人羅俊実が就任し、事業ドメインを半導体領域に変更。

2011

  • 2011年3月創業ROCA株式会社として会社設立(設立日は2011年3月31日)。

知財

公的DB
1307特許1意匠20商標国内・法人名義。特許庁データ 2026-10-01 時点。海外出願あり

gBizINFO(法人番号5130001046925)上の特許は1,307件(出願日2013〜2022年分)、意匠1件、商標20件。出願人は株式会社FLOSFIA。

出展・登壇するイベント

2件

登壇は登壇者の所属で、その会社の出展とは限りません。

最終確認 2026-08-13。掲載情報は編集部が公開情報から作成し、出所を項目ごとに示しています。

掲載基準・出典・免責

出典: flosfia.com

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