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山形大学発JST START採択

山形大学発。廣瀬研究室のナノ薄膜製造研究をもとに JST START の支援を受けて設立され、室温での原子層堆積(ALD)による薄膜コーティングの研究開発・製造支援を行う。

素材・化学半導体・GPU室温原子層堆積(ALD)薄膜コーティング山形県米沢市|設立 2019年
主なメンバー1名
  • 坂本 仁志代表取締役
技術の出身山形大学 廣瀬研究室応用物理 第86巻9号 20172019年 創業
最終確認 2026-08-20(55日前)掲載情報は編集部作成
  • 特許(国内)5件特許庁データ 2026-10-01 時点

基礎論文・研究成果

1本
  • 2017年室温原子層堆積法とその応用応用物理 第86巻9号同社サイトが山形大学廣瀬教授らの文献として掲載する総説。

製品と到達段階

2件

コメント

  • 出身研究室Coming Soon
  • 投資家Coming Soon
  • DEEPPOINT編集部Coming Soon

社史

1件

2019

  • 2019年3月12日創業山形大学発ベンチャーとして山形県米沢市に設立。

知財

公的DB
5特許0意匠0商標国内・法人名義。特許庁データ 2026-10-01 時点

gBizINFO(法人番号2390001015634)上の特許は5件。

最終確認 2026-08-20。掲載情報は編集部が公開情報から作成し、出所を項目ごとに示しています。

掲載基準・出典・免責

出典: coolald.xsrv.jp

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