次世代パワー半導体材料r-GeO2（酸化ゲルマニウム）を研究開発する立命館大学発スタートアップ。
主なメンバー3名
- 衣斐 豊祐代表取締役社長
- 松田 慎平取締役CTO
- 清水 悠吏取締役
最終確認 2026-08-13（63日前）掲載情報は編集部作成
- 累計調達額8.7億円
- 直近の調達から6か月2回の調達
基礎論文・研究成果
3本- 2024年Rutile-type GexSn1−xO2 alloy layers lattice-matched to TiO2 substrates for device applicationsApplied Physics Express 17, 011008 ・ DOI 10.35848/1882-0786/ad15f3Patentixと立命館大・京大・NIMSの共同成果としてプレスリリースで紹介。
- 2024年Strategy for applying GeO2 to power semiconductorsOxide-based Materials and Devices XV (SPIE) ・ DOI 10.1117/12.3013498金子健太郎教授によるGeO2パワー半導体応用の論考。推定
- 2021年Establishment of a growth route of crystallized rutile GeO2 thin film (≧1 μm/h) and its structural propertiesApplied Physics Letters 119, 062104 ・ DOI 10.1063/5.0060785共同創業者の金子健太郎教授によるr-GeO2薄膜成長の基礎論文。会社が事業の基と明記しているわけではない。推定
製品と到達段階
4件r-GeO₂エピウエハ
ルチル型二酸化ゲルマニウムのエピウエハ（基板）。2025年7月に有償サンプル出荷を開始。
6インチ GeO₂ on Si基板
6インチSiウエハ上にr-GeO₂薄膜を成膜。ジェイテクトサーモシステムと新規成膜装置を共同開発。
r-GeO₂バルク（自立）基板
FZ法でr-GeO₂バルク結晶の育成に世界で初めて成功。ハーフインチ自立基板を目標に開発。
r-GeO₂パワーデバイス
r-GeO₂でデプレッション型MOSFETを作製しトランジスタ動作を実証。SBDも確認済み。
コメント
- 出身研究室Coming Soon
- 投資家Coming Soon
- DEEPPOINT編集部Coming Soon
資金調達
2件| 発表日 | ラウンド | 調達額 | 引受先 | 出典 |
|---|---|---|---|---|
| 2026/04/06 | シリーズA | ¥1.5億 シリーズA1（シリーズAのエクステンション）。会社発表は「総額約1億5,000万円」 | 三菱UFJキャピタル、TMH | |
| 2025/10/03 | シリーズA | ¥7.2億 | Abies Ventures、東レインターナショナル、稲畑産業、ケイエスピー、アイシン、木村商事、京信イノベーション、中信ベンチャーキャピタル、ABCドリームベンチャーズ、大阪中小企業投資育成、関西みらいサクセスサポート、デンソー、三菱電機、モバイル・インターネットキャピタル |
社史
21件2026
- 2026年5月共同開発ジェイテクトサーモシステム6インチ対応の新規成膜装置を共同開発し、6インチSi上へのr-GeO₂成膜に成功。
- 2026年4月沿革シリーズA1（シリーズAのエクステンション）で約1億5,000万円を調達、創業以来の累計は12億900万円。
- 2026年3月実証デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功
- 2026年2月受賞しがぎんイノベーションアワード2025 最優秀賞（野の花賞）・オーディエンス賞をダブル受賞滋賀銀行
- 2026年1月受賞NBCI Start-up Award「会長賞」を受賞
2025
- 2025年11月共同開発奥野製薬工業「びわこ半導体構想」に参画し、GeO₂の実用化・普及で共同。
- 2025年10月実証FZ法でr-GeO₂バルク結晶の育成に世界で初めて成功
- 2025年10月販売提携東レインターナショナルシリーズAに出資し、同社の半導体関連の販路で拡販する意向を表明。
- 2025年7月販売新製品の有償サンプル出荷を開始（製造拠点は日電精密工業 神戸工場）日電精密工業
2024
- 2024年11月実証ルチル型GeO₂結晶によるショットキーバリアダイオード動作を世界初確認
- 2024年9月実証ルチル型二酸化ゲルマニウム薄膜でN型導電性を世界で初めて確認
- 2024年8月協業クオルテックGeO2有償サンプルの出荷前検査をクオルテックが担う基本合意。
- 2024年7月受賞FASTAR 9th Demo Day オーディエンス賞・M.I.C.賞を受賞
- 2024年6月沿革京都リサーチパークに入居。
- 2024年4月認証経済産業省の技術情報管理認証制度（TICS）の認証を取得経済産業省
- 2024年1月共同研究京都大学・物質・材料研究機構（NIMS）ルチル型GeO2系混晶半導体のSBD試作を共同で実施。
2023
- 2023年12月受賞「経済界 Golden Pitch 2023」審査員特別賞を受賞
- 2023年12月共同研究立命館大学（金子健太郎教授）立命館大学総合科学技術研究機構の金子教授（RARAフェロー）とGeO2半導体エピウエハを共同研究開発。
- 2023年12月移転滋賀県立テクノファクトリーに入居（本社は立命館大学BKCインキュベータ）。
- 2023年8月沿革シードラウンドで立命館ソーシャルインパクトファンドからJ-KISS型新株予約権により5,000万円を調達。
2022
- 2022年12月1日創業Patentix株式会社設立（立命館大学発ベンチャー）。
知財
公的DB0特許0意匠0商標国内・法人名義。特許庁データ 2026-10-01 時点
gBizINFO（法人番号7130001073240）の特許は0件。
近い企業
同じ分野
Patentix
（準備中）